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磁盘阵列R<span style='color:red'>AI</span>D写缓存掉电保护怎么做？永铭双电层超级电容模块SDM 8.0F/13.5V为服务器存储提供短时后备供电解决方案

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磁盘阵列RAID写缓存掉电保护怎么做？永铭双电层超级电容模块SDM 8.0F/13.5V为服务器存储提供短时后备供电解决方案

　　在企业级服务器、磁盘阵列、边缘存储等设备中，磁盘阵列RAID通常会将正在写入的数据和关键元数据暂存在Cache(高速缓冲存储器)中，以提升写性能。当整机突发掉电时，若后备能源不能及时接管供电，Cache中尚未落盘的数据可能来不及回写到Flash(闪存)或后端磁盘，进而带来数据一致性与业务连续性风险。　　传统备电电池BBU虽然可用于后备供电，但在长期7×24运行场景下，往往还伴随容量衰减、自放电、定期校准、更换维护等缺陷，以及高密度服务器内部空间与散热压力等问题。基于这一应用需求，永铭推荐采用磁盘阵列RAID写缓存保护超级电容模块SDM系列，为磁盘阵列RAID控制器提供短时后备供电，用于保障Cache→Flash完成回写。　　应用场景与典型挑战　　磁盘阵列RAID写缓存保护常见于服务器存储、数据中心、企业级存储、磁盘阵列、工业服务器与边缘存储等场景。其典型触发条件包括市电闪断、电源模块故障、热插拔意外、PDU 异常等，这些情况都可能导致磁盘阵列RAID主电源中断。　　一旦主电源异常中断，常见风险主要集中在三个方面：　　· 写缓存中的脏数据与关键元数据来不及写入Flash或后端磁盘　　· 控制器异常掉电，阵列恢复时间变长，业务中断风险上升　　· 传统BBU在容量衰减后，可能无法稳定覆盖完整回写窗口，增加后续维护与停机管理负担　　对于高密度 1U/2U 服务器而言，这类问题还会进一步叠加空间受限、布线受限、散热压力上升等约束，使后备电源方案的安装与维护更加复杂。　　问题根源：　　磁盘阵列RAID写缓存保护并不是“长时间续航”　　磁盘阵列RAID写缓存保护的核心，不是让后备电源在掉电后持续工作很久，而是要求在输入电源丢失后，后备单元能够立刻接管，并在控制器最低工作电压以上维持一个足够的短时能量窗口，使 Cache中的数据与关键元数据完成回写。　　这类保护是否能够成功，取决于几个关键因素之间的匹配关系：　　可释放有效能量：　　模块输出电流能力连接路径损耗　　控制器回写耗时　　当后备单元响应慢、有效容量或工作电压不足、最大放电电流不足，或者线束与连接损耗过大时，控制器电压就可能过快跌落，导致 Flash 写入中断。也就是说，这类方案并非面向长时间续航场景，而是面向“掉电瞬间短时接管”的保护场景。　　永铭解决方案：　　双电层超级电容模块SDM系列　　针对磁盘阵列RAID掉电保护场景，永铭提供磁盘阵列RAID 写缓存保护超级电容模块(8.0F/13.5V)。该方案围绕“掉电后写完那一段”设计，用于在主电源异常中断后，为磁盘阵列RAID控制器提供短时有效能量储备。　　其对应的应用特征包括：　　· 容量 8.0F，工作电压13.5V：用于为 Cache→Flash 回写提供短时有效能量储备　　· 掉电自动上线：主电源异常中断时，可立即接管供电，减少切换迟滞带来的保护窗口损失　　· 最大放电电流 1.5A：覆盖磁盘阵列RAID控制器及缓存保护阶段的瞬时输出需求　　· 标准化尺寸+长/短延长线配置：便于适配服务器主流结构规格和不同安装位置　　· 工作温度-40°C~70°C，仓储温度-40°C~85°C：兼顾机箱温升环境与仓储运输适应性　　· 符合RoHS要求：满足应用合规需求　　相较于需要定期更换、校准与健康检查的传统BBU路径，双电层超级电容模块更偏向长寿命、免维护的应用方向，可减少后期运维动作，适合7×24数据中心运行环境。　　推荐规格　　推荐产品：永铭磁盘阵列RAID写缓存保护超级电容模块SDM系列　　规格口径：8.0F/13.5V　　配件：长延长线×1、短延长线×1　　场景化Q&A　　Q1：我们在做RAID卡写缓存保护验证，需求不是让后备电源撑很久，而是掉电后能立刻接管，让Cache里的数据顺利写到Flash。请问有没有适合这种短时接管场景的超级电容模块，最好是8F/11V左右、还能自动上线工作的方案?　　A1：推荐永铭RAID写缓存保护超级电容模块，型号规格：8.0F / 13.5V。该模块针对RAID控制器写缓存保护“短时接管、快速回写”的特定需求设计，具备以下关键特性：　　掉电自动上线：主电源正常时自动充电;当输入电源异常中断时，模块能够立即接管供电，切换延迟极低，无需软件干预，避免保护窗口被迟滞损耗。　　容量与电压匹配：容量8.0F，工作电压13.5V。可释放有效能量按公式E = ½ × C × (Vstart² - Vend²)计算，与主流RAID控制器(如LSI、Marvell等)从Cache到Flash的完整回写窗口所需能量精确匹配。　　输出能力充足：最大放电电流1.5A，可覆盖控制器与缓存回写阶段的瞬时峰值电流需求。　　无需复杂管理：模块自动完成充放电切换，无需额外充放电管理电路或校准流程。　　因此，该模块是满足“8F/11V左右、自动上线”需求的直接选型方案，适用于RAID卡写缓存掉电保护场景。　　Q2：我们现在做服务器RAID卡，原来一直用BBU，但后期维护太频繁了，要换电池、做校准，还担心容量衰减。有没有适合长期7×24运行、免维护的RAID缓存保护方案，可以替代传统BBU?　　A2：永铭 RAID写缓存保护超级电容模块(8.0F/13.5V)完全符合上述要求。针对高密度服务器(1U/2U)的适配设计。传统BBU需要定期校准、2~3年更换电池，且容量衰减明显，还需额外健康监测电路，高温环境下老化快。而永铭超级电容模块无需校准、无更换周期、容量衰减远低于BBU、无需监测电路，且工作温度达-40℃~+70℃，适配服务器长期运行。　　Q3：高密度1U/2U服务器空间紧、温升高，后备电源选型要看什么?　　A3：这类场景通常需要同时关注：尺寸与安装适配性、掉电瞬间输出能力、工作温度范围、连接路径损耗。永铭磁盘阵列RAID写缓存保护超级电容模块提供标准化尺寸、长短延长线配置，最大放电电流1.5A，工作温度-40°C~70°C，可用于适配高密度服务器的安装与应用要求。　　总结　　对于磁盘阵列RAID写缓存保护而言，关键不在“长时间供电”，而在“掉电瞬间是否能够及时接管，并完成关键数据安全回写”。　　永铭超级电容模块以8.0F/13.5V、最大1.5A放电、掉电自动上线、标准化尺寸与延长线配置，为服务器存储场景提供短时后备供电支持，用于应对突发掉电下的 Cache→Flash 回写需求。　　如需进一步评估具体应用，可联系永铭获取规格书、样品、应用资料与选型支持。

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永铭

发布时间：2026-04-20 11:29 阅读量：265 继续阅读>>

海康存储亮相2026人工智能基础设施峰会加速布局<span style='color:red'>AI</span>推理存储新赛道

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海康存储亮相2026人工智能基础设施峰会加速布局AI推理存储新赛道

　　4月17日，由DOIT主办的“智算筑基生态共生”2026人工智能基础设施峰会在上海举行。　　当前，AI正从训练主导向推理主导迁移，应用落地成为市场焦点。在此背景下，海康存储携企业级及工规级存储产品亮相峰会，为“AI+”在千行百业的纵深应用拓宽思路。　　企业级存储解决方案：　　聚焦AI推理及数据中心能效优化　　海康存储企业级固态硬盘D300系列针对数据中心I/O与延迟一致性而优化，稳态连续读写速度最高可达538/509 MB/s， 4K随机读写IOPS最高可达98/61K，满足读取密集型工作负载需求。　　D300系列采用国产方案，最大容量3840GB，在容量、功耗与成本之间实现了良好平衡，并成功入选中国移动2023至2024年SSD硬盘AVAP合作商，为云计算、服务器等关键算力场景提供支撑。　　凭借优异的性能和市场表现，该产品荣获大会颁发的“2026年度AI存储产品奖”，进一步印证了其在AI基础设施中的核心价值。海康存储将在年内推出面向AI云推理的新一代PCIe 5.0平台方案，持续强化在高端存储领域的竞争力。　　在企业级内存方面，海康存储带来了DDR4 RDIMM 32G 3200MHz内存模组。该产品采用1Rx4位宽设计，支持ECC纠错。经过自研算法测试及硬件优化设计，极大提高了模组的可靠性及兼容性，可以为服务器提供高效、稳定的数据存储与传输支持，为大规模AI部署夯实基础。　　工规级存储解决方案：　　护航工业关键场景　　针对工业数智化的升级需求，海康存储打造了涵盖固态硬盘、嵌入式存储、内存模组、存储卡等在内的工规级存储产品矩阵。　　其中，PTS13固态硬盘搭载PCIe Gen4x4接口，顺序读/写性能高达7090MB/s、6540MB/s，容量覆盖128GB-2048GB，支持-40℃~85℃宽温工作，可广泛应用于边缘计算、工业自动化、电力能源等严苛环境，为关键场景提供安全可靠的数据存储与处理能力。　　海康存储工规级eMMC遵循eMMC5.1协议，能够长期可靠运行于-40°C~85°C的工业宽温环境，进一步丰富了低功耗、高强度场景的选择。　　依托全生产周期的高质量管控、自研固件、BOM锁定与专业的技术团队支持，海康存储以对工业场景的深度理解助力客户业务发展，携手推动工业行业迈向新高度。　　基于在数据中心、工业控制等领域的技术积累，海康存储未来将根据客户需求，持续向教育、医疗、金融等更多“AI+”应用场景拓展，推动算力基础设施与落地实践深度融合，为新质生产力筑牢数字基座。

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海康存储

发布时间：2026-04-20 11:20 阅读量：243 继续阅读>>

兆易创新亮相F<span style='color:red'>AI</span>R plus 2026，全栈芯片赋能具身智能机器人新生态

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兆易创新亮相FAIR plus 2026，全栈芯片赋能具身智能机器人新生态

　　4月22日至24日，FAIR plus 2026机器人全产业链接会将在深圳会展中心(福田)9号馆盛大启幕。作为世界级机器人开发制造技术领域的重要盛会，本次展会聚焦机器人全产业链核心技术与优质开发资源，着力打通AI与机器人产业壁垒，搭建技术交流、场景对接与产业合作的核心平台，汇聚全球行业同仁共话智能机器人产业发展新机遇。　　作为业界领先的半导体解决方案提供商，兆易创新将携核心技术与产品亮相本次盛会。展会期间，兆易创新将深入分享机器人运动控制底层技术闭环的创新路径与实践成果，以硬核技术实力赋能产业高质量发展。此外，兆易创新还将在H9B17展位，展出具身智能机器人适用的MCU、存储及模拟芯片全栈产品与解决方案。诚邀各界同仁与合作伙伴莅临展位交流、聆听专题分享，携手共筑机器人产业发展新生态。

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兆易创新

发布时间：2026-04-20 09:38 阅读量：217 继续阅读>>

美光的低功耗车规级内存与存储解决方案，赋能端侧<span style='color:red'>AI</span>在汽车领域的应用

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美光的低功耗车规级内存与存储解决方案，赋能端侧AI在汽车领域的应用

LPDDR5X配合DLEP技术　　带宽提升高达25%1　　功耗降低10%2　　满足ISO26262ASIL-D级别的硬件　　随机故障时基故障率指标(FIT)　美光车规级UFS4.1　　设备启动速度提升30%，系统启动速度提升18%3　　针对严苛车载温度环境设计　　满足ISO26262ASIL-D级别的硬件随机故障时基故障率　　(FIT)指标　　带宽达4.2GB/s，加速AI模型的数据访问

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发布时间：2026-04-17 11:18 阅读量：308 继续阅读>>

端侧<span style='color:red'>AI</span>如何释放终端智能？瑞萨RA8P1 MCU展现“芯”实力

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端侧AI如何释放终端智能？瑞萨RA8P1 MCU展现“芯”实力

　　近日，“2026半导体产业发展趋势大会暨颁奖盛典”在深圳举行。在“AI赋能消费电子创新应用论坛”上，瑞萨电子中国嵌入式处理器高级专家凌滔发表了题为《无处不在的高效端侧AI，释放终端潜能》的演讲，分享了瑞萨最新一代RA8P1 MCU如何以强劲性能推动边缘AI规模化落地。　　瑞萨电子中国嵌入式处理器高级专家凌滔发表演讲　　双核异构架构：定义MCU新性能基准　　要理解RA8P1 MCU为何能成为端侧AI的理想之选，首先需要从其硬件架构说起。RA8P1系列是瑞萨电子首款搭载高性能Arm® Cortex®-M85及Cortex-M33，并集成Ethos™-U55 NPU的32位AI加速MCU。该系列通过单芯片实现256 GOPS的AI性能、超过7300 CoreMarks的突破性CPU性能和先进的人工智能(AI)功能，可支持语音、视觉和实时分析AI场景。RA8P1 MCU采用台积电22ULL工艺制造，在实现超高性能的同时保持极低的功耗。该工艺还支持在新款MCU中集成嵌入式磁性随机存取存储器(MRAM)。与闪存相比，MRAM具备更快的写入速度、更高的耐久性和更强的数据保持能力。同时，RA8P1还集成了Arm Ethos-U55 NPU，在500MHz频率下可实现256 GOPS的神经网络处理能力。　　端侧智能突破：推理性能大幅跃升　　强大的硬件架构只是基础，真正体现RA8P1 MCU实力的在于其AI加速能力。Arm Ethos-U55 NPU针对CNN和RNN中的计算密集型算子进行了硬件加速，支持8位权重及8/16位激活值，并采用离线压缩、实时解压技术以降低内存需求。当遇到部分NPU不支持的算子时，编译器可自动将任务回退至Cortex-M85 CPU，通过CMSIS-NN软件加速执行，降低模型部署难度和提升AI推理效率。　　为直观呈现Cortex-M85的推理加速效果，演示先以RA8D1给出CPU侧基线数据，并进一步引出集成NPU的RA8P1在吞吐与能效上的提升。　　在实际演示中，在480MHz的RA8D1运行人形检测AI模型时，得益于Cortex-M85内置的Helium加速单元，性能较上一代Cortex-M7内核提升3.6倍。在此基础上，RA8P1进一步集成了256 GOPS的NPU，可继续提升端侧推理吞吐和能效表现。在电机负载不平衡检测应用中，结合CMSIS-NN与TF-Lite for MCU，RA8P1 MCU同样展现出卓越的实时故障诊断能力。　　三大典型应用场景验证落地能力　　理论性能需要在实际场景中得到验证。凌滔在演讲中展示了RA8P1在视觉AI领域的三个典型应用，充分证明了其端侧处理能力。　　图像分类：在基于MobileNet v1的演示中，模型大小608KB，RA8P1 MCU的推理时间仅3ms，性能加速达33倍。系统工作流程为：摄像头通过CEU或MIPI-CSI接口采集图像，Ethos-U55执行推理，Cortex-M85运行主控逻辑，结果通过GLCDC及2D DRW引擎渲染输出至LCD显示。　　驾驶员行为监控：该方案可同时检测打瞌睡、打电话、吸烟等违规驾驶行为。模型来自Nota.ai驾驶员监控方案，大小仅439.8KB，在RA8P1-EK评估板上实测推理时间为11.1ms，预处理/后处理12ms，总耗时23.1ms，相比纯CPU方案加速24.5倍。方案兼容红外摄像头和RGB彩色摄像头，适用于车载行车记录仪及车厢内部监控。　　道路交通与电瓶车流监察：基于Irida智能城市监察模型(大小320KB)，RA8P1 MCU实现机动车行驶状态及电瓶车流状况的端侧视觉AI分析。推理时间11ms，预处理/后处理4ms，整体功耗仅160mW，推理速度提升36.4倍。该方案适用于智慧城市交通情况分析、人员计数、热能分布及特定区域目标识别。　　丰富外设与完整开发生态　　强大的算力还需丰富的外设接口和软件工具来支撑落地。RA8P1 MCU集成了MIPI-CSI2摄像头接口、MIPI-DSI显示接口、2D图形引擎(DRW)、Gigabit以太网MAC(支持TSN/DLR双通道+双端口交换机)、USB2.0 FS/HS、SDHI(x2)、OSPI(支持XIP和DOTF)、32位SDRAM接口、CAN-FD、I3C等，可满足视觉AI、语音AI及工业实时控制等多类场景需求。　　软件开发方面，瑞萨提供灵活配置软件包(FSP)，集成高性能HAL驱动、Azure RTOS/FreeRTOS中间件，并支持e2 studio IDE中的AI Navigator图形化工具及RUHMI AI编译器。RUHMI支持从TensorFlow Lite和ONNX导入模型，自动完成优化、量化和分割，并生成经过优化的.c/.h源码，显著降低AI模型在RA8P1 MCU上的部署门槛。　　官方评估套件EK-RA8P1提供了完整的开发支持，包括双通道MIPI-DSI和并行显示连接器、摄像头扩展连接器(CEU/MIPI-CSI2)、64MB OSPI闪存、64MB SDRAM、PDM MEMS麦克风、音频编解码器、以太网RJ45(RGMII)等。此外，瑞萨还推出了CPK-RA8P1及合作伙伴RTT RA8P1 Titan Board等开发套件，RT-Thread BSP源码已在GitHub开源。　　总结与展望　　在端侧AI需求持续爆发的背景下，单纯依赖CPU算力已难以满足日益复杂的应用场景，而“CPU+NPU”的异构融合方案正成为行业共识。瑞萨通过将高性能Cortex-M85、灵活的Cortex-M33与专用AI加速单元Ethos-U55有机结合，为开发者提供了一条兼顾性能、功耗与开发效率的可行路径。可以预见，随着RA8P1 MCU及其后续产品的不断迭代，端侧AI将在工业自动化、智能座舱、智慧城市、消费电子等领域实现更广泛、更深度的落地，真正释放终端设备的无限潜能。

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发布时间：2026-04-17 10:20 阅读量：332 继续阅读>>

技术解码 | 罗姆助力<span style='color:red'>AI</span>服务器能效提升

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技术解码 | 罗姆助力AI服务器能效提升

　　数字化转型(DX)和AI的迅猛发展，为社会带来了巨大的便利，而支撑其运行的数据中心耗电量却持续攀升。　　为了助力解决这一社会课题，罗姆已将融合多年来积累的“功率电子”和“模拟”技术优势，更大程度地提高服务器能效当作使命。其中，服务器总功耗中占比较大的“电源”的效率提升，以及通过“电机”驱动的冷却系统的进一步节能，是实现无碳社会的重要课题。　　从业界先进的SiC(碳化硅)功率元器件，到可实现高精度控制的模拟IC以及各种分立器件，罗姆集这些产品的开发、生产制造、销售于一体，为客户提供前瞻性的解决方案。　　罗姆的半导体技术可高水平兼顾客户服务器系统的“节能”和“小型化”需求，同时还有助于提高其可靠性。罗姆将与客户携手共创可持续发展的数字社会。　　AI服务器主板(Server Board)　　随着生成式AI的普及和数字化转型的加速，现代服务器面临着前所未有的算力需求，以及随之而来的功耗激增问题。要改善数据中心电源使用效率指标(PUE)，从传统12V分散式供电向48V集中式供电架构的转型，以及电源单元的小型化和效率提升已成为当务之急。　　罗姆利用多年积累的高效电源IC技术，结合包括GaN(氮化镓)器件在内的高性能MOSFET，为客户提供综合解决方案。通过可充分激发产品特性的驱动技术，大幅降低功率转换损耗。通过同时实现更低发热量和更高功率密度，助力服务器主板的处理能力提升及节能降耗。　　电源供应单元(PSU)　　罗姆可一站式提供下一代服务器PSU所需的全部电源解决方案。针对高电压大电流化的一次侧电路，可提供业界先进的SiC元器件和高速GaN元器件产品群，助力应用产品大幅提升效率。另外，针对AI服务器等主流的50V输出二次侧整流用途，可提供80V耐压等高性能LV MOS产品群，可将导通损耗降至超低水平。当然，罗姆还拥有性价比超高、也非常适用于图腾柱PFC低速侧开关应用的丰富的Super Junction MOSFET(SJ-MOSFET)产品群。　　在这些种类繁多的产品群基础上，罗姆还可提供系统层面的综合解决方案，其中包括可更大程度激发产品性能的栅极驱动器和控制IC。这正是罗姆的优势所在。本页面将介绍罗姆支撑未来AI数据中心的最新科技和解决方案。　　备用电池单元(BBU)　　在BBU(备用电池单元，用来在电源异常时保护数据)设计中，能够充分发挥锂离子电池性能的先进电池管理系统至关重要。罗姆提供可高精度监测电池健康状态(SoH)的电池电量监控IC(电量计IC)等产品，助力BBU的小型化和可靠性提升。　　此外，在保障服务器稳定运行和可维护性的热插拔电路中，能够承受大电流负载的宽SOA(安全工作区)范围至关重要。尤其是大量使用GPU的AI服务器，对其稳定性的要求非常严苛。罗姆兼具宽SOA范围和低导通电阻的100V耐压功率MOSFET，可满足其严苛要求，并可提高系统的可靠性和稳健性。　　罗姆不仅提供这类元器件级解决方案，还针对多样化的电源架构，提供满足从传统的12V/50V级电源，到可显著改善数据中心整体节能性能的400V级HVDC(高压直流供电)机架应用需求的丰富产品群。

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罗姆

发布时间：2026-04-15 13:05 阅读量：350 继续阅读>>

瑞萨丨大咖谈技术为<span style='color:red'>AI</span>数据中心供电：氮化镓（GaN）正成为焦点

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瑞萨丨大咖谈技术为AI数据中心供电：氮化镓（GaN）正成为焦点

　　在数据中心设计的新纪元，人工智能(AI)正深刻重塑电力的生成、分配和应用方式，以驱动实时、数据导向的成果。传统的云数据中心围绕相对可预测的CPU工作负载进行优化，而现代AI数据中心则以加速器密集型系统为核心，其运行特性截然不同。这些需求正促使业界对数据中心电源架构进行根本性重构，进而加速氮化镓(GaN)半导体的普及应用。　　剖析AI数据中心的电力挑战　　相较于早期的云基础设施，AI数据中心呈现出两大显著特征：更高的电力消耗，以及功耗动态变化的急剧增加。传统数据中心的服务器电源柜的功率上限可能最高为30千瓦。而如今，AI系统的单个电源柜运行功率已跃升至50千至300千瓦之间(具体数值因供应商而异)，按照这一趋势，预计到明年，单个机柜的功率甚至有望突破1兆瓦大关。在电源功率如此飙升的背景下，功率分配和电力转换已无法再作为后台的辅助环节被忽视。　　为了实现AI应用的可持续规模化扩展，电源架构必须迈向更高效、更紧凑，且更具适应性的新阶段。简而言之，电力已从昔日的运营支出项，演变为复杂且资本密集型的核心考量因素。并且，只要对算力的渴求继续由日益庞大的AI模型所驱动，这一趋势就将长期持续。　　AI推动新型电源架构　　这场变革最明显的标志之一，便是从传统的415V交流(AC)配电向800V直流(DC)(或±400V直流)架构演进。更高电压可降低传输电流、减少传导损耗，并全面提升系统效率。与此同时，这也对电力转换环节及其核心器件的性能提出了全新要求。　　深入服务器机架内部观察，可看到AI加速器已成为重塑数据中心供电方式的关键驱动力。这些计算引擎早已超越单一芯片范畴，演变为庞大而复杂的分布式系统。单个AI计算单元(或称“超级集群”)最多可容纳9,000个加速器、4,500个CPU、庞大的光纤互连网络，以及配套的电源管理模块、水泵和液冷基础设施。这还仅仅是一个单元，超大规模数据中心每年部署的此类单元可达数百个之多。　　更少的转换环节，更高的电压　　面对日益加剧的压力，数据中心运营商正在重新审视电力到芯片的整个传输链路。一大核心转变是采用更高电压的直流配电方案，包括800V(或±400V)直流架构，业内甚至已开始探讨未来实现1,200V或1,600V直流方案的可行性。　　其背后的逻辑直指效率：每一个中间电力转换环节都意味着能量的损耗。在传统拓扑结构中，电力以交流电(480V三相交流)形式输入，需经历数次形态转换：先转换为直流电用于电池充电，再逆变为交流电进行配电(415V交流)，最终再次转换为直流电(48V)供机架及板级使用。减少转换步骤能显著提升端到端效率，让更多来自电网的电能真正用于计算任务。　　这些变化正在重塑功率半导体的角色。例如，在高压应用场景下，固态变压器正逐步取代传统的油浸式线路变压器。通过一系列新物料应用使得新一代电源设计能在更高频、高压下提高效率。　　与此同时，机架功率的激增正推动交流/直流转换从服务器机箱内部转移至独立机柜。目前，相当一部分宝贵的机架空间被用于部署将415V交流电转换为48V直流电的设备。由于机架空间寸土寸金，电力转换硬件如今占据了高昂的空间成本。将这些转换环节集中至一个专用机柜，不仅能为AI计算单元腾出更多空间，还能更有效地集中管理散热。　　为何是GaN，又为何是现在?　　GaN的普及步伐加快，根源在于AI数据中心将其两大核心优势放大了：在紧凑尺寸下实现高压能力，以及快速高效的开关性能。　　与硅器件相比，GaN器件能在更小的芯片内承受更高反压。GaN的高电子迁移率和饱和速度使其开关频率可达到兆赫兹(MHz)级别，而硅器件通常运行的开关频率远低于此。此外，GaN的固有寄生电容低于硅，能够实现更快的开关速度且损耗更低。　　从系统层面看，开关频率与磁性元件及无源器件的尺寸成反比。如果设计人员能提高开关频率，便可缩小磁性元件体积，并减少电力转换环节的占板面积。消费电子领域已经通过微型快充产品成功展示了这一趋势。如今，AI基础设施正采用同样的策略，只是其规模已跃升至千瓦乃至兆瓦级别。　　GaN的“黄金应用区间”：　　800V至48V转换与双向供电　　在AI数据中心的电源链路中，不同的电压区间恰如其分的适配着不同材料。在数千伏的超高电压等级中，碳化硅(SiC)于固态变压器应用中大放异彩，而GaN在数据中心中最合宜且近期最具潜力的应用场景，当属从约800V高压到中间电压(如48V，特定情况下为12V)的转换环节。800V至48V的转换阶段正是GaN的“黄金应用区间”，在此区间内，GaN展现出比硅具有更高的效率、更稳定的运行性能和更快的开关速度。　　此外，AI数据中心还在交流/直流转换环节催生了双向供电的需求。这主要源于大型AI加速器极端瞬态变化的负载特性。当负载快速波动时，存储在电容元件中的能量要么以热能形式耗散，要么被智能地回收利用。双向架构使得能量在负载激增时能迅速流入系统，在能量过剩时又能回输至系统储能装置——这一概念与汽车的再生制动系统异曲同工。　　双向GaN器件极大的简化了此类设计。例如，以往需要四个分立式MOSFET构建的全桥电路，如今两个双向GaN器件即可胜任。瑞萨电子近期推出的首款双向GaN开关便是一例：该产品采用单级电力转换替代了传统的两级架构，进一步提高了效率。　　瑞萨电子：　　将GaN定位为系统级解决方案　　AI数据中心的创新节奏之快，已使设计人员无法再通过逐个优化元器件来构建系统。产品开发周期曾以三到四年为衡量，如今已缩短至12到15个月。这意味着AI数据中心架构师需要的是端到端的电源解决方案，以及全面、长远的规划蓝图，而非将整合风险转嫁给系统设计人员的零散产品组合。　　依托数十年的电源技术积累，瑞萨深知：要降低GaN的采用门槛并缩短设计周期，离不开控制器、栅极驱动器与保护器件的协同设计，再辅以完善的参考设计和专业的技术支持。我们在应用电力电子会议(APEC)上最新发布的GaN解决方案，正是这一系统级理念如何转化为更快速、更低风险设计的生动例证。　　通过收购Transphorm公司及其高压SuperGaN® D-mode GaN FET技术，瑞萨电子的市场地位得到了进一步的巩固。我们致力于为数据中心OEM厂商提供从器件级创新到系统级支持的全方位赋能，从而加速其评估进程，缩短产品设计周期。　　普及之路的挑战与未来展望　　尽管GaN优势显著，但其全面普及仍面临挑战。成本、严苛的认证要求，以及设计人员的熟悉程度，都将影响其普及速度。展望未来三至五年，GaN在AI数据中心内的集成深度，将取决于供应商能否通过有效的技术培训、便捷的设计工具和经充分验证的可靠性，切实化解这些顾虑。　　可以预见的是，AI工作负载将持续推动电源架构向更高密度和更高效率的方向演进。对于数据中心架构师而言，GaN是在避免能源消耗失控增长的前提下，推动AI算力持续突破的关键路径。对于习惯在效率上渐进式提升的功率半导体供应商来说，这更标志着电力传输方式的一次根本性转变。随着这一趋势的深化，那些曾让硅材料占据优势的权衡取舍，如今正使GaN的优势日益凸显。当下的问题已不再是GaN能否在AI数据中心占据一席之地，而是它将以多快的速度、多广的范围内被部署应用。

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瑞萨

发布时间：2026-04-15 10:15 阅读量：346 继续阅读>>

春日赴<span style='color:red'>AI</span>潮玩之约！广和通携MagiCore亮相深圳玩具潮玩展

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春日赴AI潮玩之约！广和通携MagiCore亮相深圳玩具潮玩展

　　4月9-11日，广和通携融合AI潮玩与智能硬件创新成果、全栈式AI出海能力亮相国际玩具及潮玩(深圳)展览会11号馆11F22展台，为现场观众带来兼具科技感与趣味性的沉浸式体验。　　核心聚焦：MagiCore AI陪伴解决方案赋予潮玩轻量化“灵魂”　　现场最引人注目的，当属广和通MagiCore AI陪伴解决方案。该方案专为毛绒公仔、随身陪伴场景设计，凭借50×48×23mm精巧尺寸、超10天待机的低功耗优势，完美解决个性化陪伴硬件的体积与续航难题。　　MagiCore让静态IP形象升级为具备情感交互能力的数字化伴侣，精准契合一线白领和潮玩二次元爱好者的需求。现场展出的芙崽、Starfy公仔、小耙AI等热门IP终端产品，生动演绎了从“静态玩具”到“智能伙伴”的质变。　　背后支撑这一飞跃的是广和通深耕AI领域的硬核实力。其自主开发的IP Agent OS体系，依托Reader工具及结构化Agent架构，实现IP角色落地，赋予智能体多层记忆与OOC拒识等能力;自研环境感知模型如同“听觉中枢”，可敏锐识别用户年龄、情绪等要素，实现“千人千面”交互。　　实力加码：AI全栈端云协同，驱动全场景智联落地　　在AI潮玩外，广和通正通过“连接 + 计算 + 智能”的全栈能力，构建多行业、多终端的智能体系。　　自研目标检测模型针对低算力平台深度优化，无需依赖第三方商业模型，在保持高精度、低时延的同时，降低部署成本与合规风险。　　在端侧AI方面，现场展示AI会议机、AI ECR、智能割草机及四足机器人等多类终端，覆盖办公、零售、家庭及机器人等应用场景。　　依托全球蜂窝连接优势，宠物项圈、AI收银机、AI翻译机等产品通过端云协同，实现高效数据闭环与增值服务。　　AI硬件出海，通信首选广和通　　广和通以全球蜂窝通信能力为底座，融合全栈 AI 技术，凭借全球e-SIM、合规认证出海服务及全球交付能力为智能陪伴玩具、各类AI硬件破解企业出海过程中的网络连接、合规适配等核心痛点，助力客户终端快速走向全球市场。

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广和通

发布时间：2026-04-10 10:16 阅读量：490 继续阅读>>

4月研讨会报名中！ROHM Nch LV MOSFET：赋能<span style='color:red'>AI</span>服务器，解锁高效电源新方案

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4月研讨会报名中！ROHM Nch LV MOSFET：赋能AI服务器，解锁高效电源新方案

　　随着AI服务器等应用对功率密度和能效的要求不断提升，低压MOSFET的导通损耗与开关损耗成为设计关键。ROHM长期深耕于此领域，致力于相关产品和技术的持续创新，其中多个产品系列已广泛应用于AI服务器电源、工业电源管理等对能效与可靠性要求严苛的场景，为客户提供领先的导通电阻性能和灵活的封装解决方案。　　本次研讨会将介绍ROHM的N沟道低压MOSFET产品，涵盖工艺、封装技术、产品阵容等，并会重点介绍ROHM面向服务器应用提出的解决方案。扫描海报二维码，即可报名，参与还有机会赢取精美礼品!　　一、研讨会概要　　1. ROHM LV MOSFET的目标市场和应用　　2. ROHM LV MOSFET的结构和封装工艺　　3. ROHM LV MOSFET的技术路线图和产品/封装阵容　　4. 面向服务器应用的解决方案和新产品介绍　　二、研讨会主题　　ROHM Nch LV MOSFET产品介绍　　三、研讨会时间　　2026年4月22日上午10点　　四、研讨会讲师洪梓昕(工程师)　　负责面向包括工控、民生、车载等各领域的分立器件产品的推广，涉及功率器件和小信号器件等产品，为客户进行选型指导和技术支持。　　五、官方技术论坛　　不仅是Webinar相关内容，所有ROHM的产品和技术都可以在“ROHM官方技术论坛(ESH)”向ROHM的工程师直接提问。期待您的使用!　　点击下方链接查看：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/71dd37d853a951ef7605e86fdf3faab0/mid/858　　相关产品页面　　· 适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET： https://ameya360.com/hangye/113949.html　　· 适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET：　　https://ameya360.com/hangye/113215.html　　· 安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET：　　https://ameya360.com/hangye/112418.html　　相关产品资料　　适用于AI服务器的兼具业界超宽SOA范围和超低导通电阻的MOSFET：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250606/bcb29836697daa064cd22046dae6f566.pdf　　ROHM面向AI服务器800VDC构成解决方案：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20260323/072cee71ab4d82fd1e5462220f70c8ee.pdf　　低导通电阻Nch 功率MOSFET(铜夹片型)RS6xxxx系列/RH6xxxx系列：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20230626/fda088792d480a97f7768835115ff87f.pdf　　好礼来袭　　互动礼　　观看研讨会并参与提问即有机会获取U型枕1个，共计15份。　　宣传礼　　转发研讨会文章/海报，同时将截图私信至罗姆微信公众号即有机会获取精美礼品1份。　　专业微信群　　拓展坞(30份)　　微信朋友圈　　桌面风扇(20份)　　邀约礼　　分享本次研讨会，邀请5位好友报名，并将好友报名手机号分享至罗姆公众号后台，即有机会获取30元京东卡1份，共计20份。　　注意事项　　1. 请注意，想获得以上好礼都需要报名研讨会并关注“罗姆半导体集团”微信公众号(微信号：rohmsemi)。　　2. 每位用户仅可领取一种奖品，报名信息须真实有效。　　3. 活动最终解释权归罗姆半导体集团所有。

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发布时间：2026-04-10 09:29 阅读量：333 继续阅读>>

Japan IT Week Spring 2026 | 广和通携<span style='color:red'>AI</span>oT方案闪耀亮相

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Japan IT Week Spring 2026 | 广和通携AIoT方案闪耀亮相

　　4月8-10日，亚洲领先的IT盛会Japan IT Week Spring在东京有明国际展览中心(Tokyo Big Sight)盛大举行。作为全球物领先的无线通信模组及AI解决方案提供商，广和通以“AIoT Connectivity for a Smarter Digital World”主题重磅亮相，在展会核心区域集中展示了覆盖智能割草、智能家居、AI陪伴及工业互联等多领域的创新成果，旨在以无缝的AIoT连接能力，赋能千行百业迈向智能化未来。　　系统级智能割草机方案，重塑户外园林作业　　在户外智能展区，广和通展出了智能割草机解决方案。针对不同地形需求，提供纯视觉及视觉+RTK融合不同方案。凭借边缘算力与高精度定位，确保割草机在复杂庭院环境中也能实现厘米级避障与精准作业。广和通智能割草机解决方案获得Japan IT Week最受瞩目产品 TOP 1(中国企业)。　　基于全平台 FWA解决方案，提升家庭企业联网体验　　广和通深耕5G宽带领域，基于多款新一代5G平台，推出了系列高性能FWA模组及解决方案，加速FWA在更多场景落地，如基于FG200模组的MiFi、ODU和IDU、基于FG390模组的CPE等，助力全球客户加速5G商用部署。其中，新一代家庭智享融合CPE备受关注，它不仅提供极速 5G 连接，更通过集成 AI 能力，实现了家庭办公、娱乐与智能家居控制的深度融合。　　MagiCore 2.0：赋予终端“人格化”灵魂　　现场最吸睛的莫过于搭载 MagiCore AI陪伴解决方案的 AI 陪伴包挂。作为专为陪伴类终端打造的智能“心脏”，MagiCore亮点显著。其支持个性化定制，让挂件拥有独特的对话风格与情绪反馈，变身有“人味儿”的智能伙伴。方案体积小巧，易于集成至随身饰品，并凭借优秀功耗控制消除“电量焦虑”。MagiCore集成 4G 能力，确保 AI 陪伴随时随地在线，即时提供情绪价值。　　多元 AIoT 终端：赋能千行百业　　展台同步展出了智能表计、车载行车记录仪、Tracker、宠物项圈及工业网关等终端，全面体现了广和通在智慧能源、出行及工业互联领域的深厚积淀。高可靠性的智能表计助力公用事业实现数字化管理。车载行车记录仪与Tracker展示了在物流、车联网领域的精准控制能力。宠物项圈等穿戴设备为消费者带来了创新的宠物管理体验。　　未来2天，欢迎莅临东京 Big Sight W25-13广和通展位，探索 AIoT 无限可能。

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广和通

发布时间：2026-04-09 10:04 阅读量：415 继续阅读>>

型号	品牌	询价
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
BP3621	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies

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